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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
1839
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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