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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
55
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
55
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2232
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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