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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
61
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
61
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2113
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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