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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
39
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2865
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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