RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
42
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
3126
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link