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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
3519
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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