RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
3772
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link