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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2176
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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