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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
53
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
53
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2356
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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