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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
39
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
19
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
3397
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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