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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Puntuación global
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2142
2856
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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