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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
4032
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
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