RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3459
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link