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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
42
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3170
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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