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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3705
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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