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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
4000
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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