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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2544
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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