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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
25
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
4170
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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