RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1860
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link