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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1884
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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