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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2660
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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