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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.9
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3650
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO M418039 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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