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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2800
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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