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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
51
En 51% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
51
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2570
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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