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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2825
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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