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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2257
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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