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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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