RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1774
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link