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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
25
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3435
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
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