Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Puntuación global
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 72
    En 65% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 72
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2045 left arrow 1817
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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