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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2907
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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