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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
68
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
68
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1812
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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