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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3026
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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