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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
41
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3625
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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