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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3723
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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