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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2870
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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