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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3673
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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