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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2481
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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