RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3293
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link