RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
91
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
4.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
91
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
6.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
4.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
1214
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link