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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2545
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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