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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
40
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2972
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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