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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2187
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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