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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2148
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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