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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
41
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2276
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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