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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3256
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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