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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2298
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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