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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
55
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
55
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2117
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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