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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2987
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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