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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
56
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
56
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2307
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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